单价超3亿美元!Intel拿下首批二代High-NA光刻机,2nm将抢先量产( 二 )


ASML目前正在开发当中的高数值孔径 (high-NA) EUV光刻机是基于 0.33 数值孔径透镜的 EUV 光刻系统的迭代产品 , 其具有 0.55 数值孔径的镜头 , 分辨率为 8 纳米 , 而现有的0.33 数值孔径透镜的 EUV 光刻系统的分辨率为 13 纳米 , 使得芯片制造商能够生产3/2nm及以下更先进制程的芯片 , 并且图形曝光的成本更低、生产效率更高 。
但是 , 0.55 NA EUV光刻系统造价相比第一代的EUV光刻机也更高 。 据 KeyBanc 称 , 一台0.55 NA EUV光刻系统的成本预计为3.186亿美元 , 而目前正在出货的EUV光刻系统则为1.534亿美元 。
值得注意的是 , ASML总裁兼CEO温彼得透露 , 在2021年第四季度 , ASML获得的价值为70.50亿欧元的新增订单当中 , 0.55 NA EUV光刻系统和0.55 NA EUV光刻系统的订单金额就达到了26亿欧元 。
温彼得表示 , ASML在2021年第四季度收到了一份TWINSCAN EXE:5000的订单 。 自2018年以来 , ASML已经收到四份TWINSCAN EXE:5000的订单 。 据了解 , EXE:5000主要面向的是3nm工艺 。 而第二代的0.55 NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200将会被用于2nm工艺的生产 。
温彼得透露 , 在2022年初 , ASML已收到了下一代的TWINSCAN EXE:5200的第一份订单 , 这标志着ASML在引入 0.55 NA EUV光刻的道路上又迈出了一步 。
根据ASML的路线图 , TWINSCAN EXE:5000将会在今年下半年出货 , 每小时可生产185片晶圆 。 而TWINSCAN EXE:5000将会在2024年底出货 , 每小时可厂商超过220片晶圆 。
单价超3亿美元!Intel拿下首批二代High-NA光刻机,2nm将抢先量产
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在2021年7月底的“英特尔加速创新:制程工艺和封装技术线上发布会”上 , 英特尔已宣布将在2024年量产20A工艺(相当于台积电2nm工艺) , 并透露其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机 。 ASML TWINSCAN EXE:5200光刻机的首份订单正是来自于英特尔 。
ASML总裁兼首席技术官Martin van den表示 , 英特尔对ASML在High-NA EUV技术的远见和早期承诺证明了对摩尔定律的不懈追求 。 与目前的EUV系统相比 , ASML的扩展EUV路线图以更低的成本、时间周期和架构等方面提供了持续的改进 , 这将推动芯片行业未来十年发展的动力所在 。
对于英特尔来说 , 抢先获得ASML TWINSCAN EXE:5200光刻机 , 也正是英特尔笃定其制程工艺能够超越台积电、三星重回领先地位的关键 。
不过 , 台积电和三星此前应该也在争夺Hight NA EUV光刻机 。 去年10月初 , 三星在10月初初已宣布 , 将在2022年上半年量产3nm工艺 , 并计划在2025年抢先台积电量产2nm 。 为此 , 有消息显示 , 三星也在紧急抢购一台Hight NA EUV光刻机 , 并要求ASML直接拉到三星工厂内进行测试 。 另外 , 台积电在此前的法说会上也对外 , 2025年台积电2nm制程不论是密度或是效能 , 都将是最领先的技术 。
柏林工厂火灾不会影响2022年出货
【单价超3亿美元!Intel拿下首批二代High-NA光刻机,2nm将抢先量产】今年1月3日 , ASML位于德国柏林的一座工厂发生火灾 , 大火在当晚被扑灭 , 没有人员在火灾中受伤 。
资料显示 , ASML德国柏林工厂是一座零部件工厂 , 主要生产晶圆台、光罩吸盘和反射镜模块等DUV和EUV光刻机所需的零部件 。
随后 , ASML在官网上表示 , 火灾后DUV光刻机零部件的生产部分中断 , 但很快生产已经恢复 , 预计他们将以一种不会影响DUV光刻机产量和收入计划的方式进行补救 。 另外 , 柏林工厂火灾还影响到了EUV光刻机一个零部件的生产区域 , 恢复计划仍在进行中 , 他们已决定采取相关的措施 , 将对EUV光刻机客户、产出计划及服务的潜在影响降到最低 。

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