ASML公司研发出了双工作台，在一个工作台完成扫描曝光的同时，另一个工作台也可以同时进行对准、调焦、下片等操作 。

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最后就是耗电问题 。
EUV光刻机耗电非常高，它需要把整个工作环境都抽成真空以避免灰尘 。EUV光刻机运行中每小时耗电至少150度 。这比挖比特币还要费电！
我们自己的光刻机做到了什么水平呢？
ASML的EUV光刻机已能用13.5nm极紫外光制程7nm、甚至3nm的芯片 。我国主要还是采用深紫外光的193nm制程工艺，能做26nm的芯片 。
据报道，上海微电子公司已经攻克了14nm光刻机，尽快还达不到国际最先进的光刻机水平，但是在手机、汽车等民用领域，以及武器装备用的芯片上，我们已经可以自给自足 。
与ASML的EUV光刻机相比，我们就像是拿着一把盒尺，想要测量国际米原器的精度一样 。不打破技术壁垒，难度之大，可想而知 。
美国人为了遏制我们在半导体领域的发展，不但限制ASML出口给中国EUV光刻机，就连采用深紫外光的DUV光刻机都限制对我国出口 。
ASML公司在EUV光刻机光源的供货上受制于美国，只好停止为我国供货，但它的销售额锐减，损失很大 。
这次虽然喊出来为我们供货，却只是恢复DUV光刻机的出口，最好再硬气一点，直接加上EUV光刻机，看看美国人还怎么指手画脚？

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