上述相关成果以“具有亚 1 纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”（Vertical MoS2 transistors with sub-1-nm gate lengths）为题 ， 于 3 月 10 日在线发表在国际顶级学术期刊《自然》（Nature）上 。 论文通讯作者为清华大学集成电路学院任天令教授和田禾副教授 ， 清华大学集成电路学院 2018 级博士生吴凡、田禾副教授、2019 级博士生沈阳为共同第一作者 ， 其他参加研究的作者包括清华大学集成电路学院 2020 级硕士生侯展、2018 级硕士生任杰、2022 级博士生苟广洋、杨轶副教授和华东师范大学通信与电子工程学院孙亚宾副教授 。
任天令教授团队长期致力于二维材料器件技术研究 ， 从材料、器件结构、工艺、系统集成等多层次实现创新突破 ， 先后在《自然》（Nature）、《自然?电子》（Nature Electronics）、《自然?通讯》（Nature Communications）等知名期刊以及国际电子器件会议（IEDM）等领域内顶级国际学术会议上发表多篇论文 。 清华大学的研究人员得到了国家自然科学基金委、科技部重点研发计划、北京市自然基金委、北京信息科学与技术国家研究中心等的支持 。
论文链接：
https://www.nature.com/articles/s41586-021-04323-3