4．赛扬M处理器同赛扬处理器的区别新的赛扬M处理器同P4赛扬的区别在于：首先是处理器内核不同 ， 一个是迅驰的内核（赛扬M） ， 一个是P4的内核（P4赛扬） ， 所以在数据运行效率上 ， 赛扬M比P4赛扬强多了 ， 可谓是天生丽质 。 其次是二级缓存不同 。 赛扬M的二级缓存是512KB ， 相当于现在主流P4处理器的二级缓存大小 ， 而P4赛扬的二级缓存只有128KB ， 非常小 。 根据前面所说的那样 ， 其运行效率将比赛扬M低很多 。 所以赛扬M处理器将大大强于P4赛扬
5．赛扬M处理器同奔腾4处理器的比较赛扬M处理器同P4处理器的不同点在于两处：一是二者内核不同 ， 一个迅驰的核 ， 一个是P4的核 。 这样当然是迅驰的内核其运行效率高 ， 消耗的能量少 ， 产生的热量低了 。 二是二者的使用的节能技术不同 。 赛扬M使用的是同迅驰一样的节能技术 ， 所以它比P4M的电池使用时间长 。 赛扬 M的二级缓存容量跟P4的一样 ， 而其内核运行效率比P4高 ， 所以其实际使用效能就比同频率的P4处理器更好 。 再加上合理的价格 ， 用户实际上是买到了一颗更好的处理器 。 Pentium,64位主理器,主频60/66/75/100/120MHZ(P54),133/150/166/200MHZ(P54C),总线频率60/66MHZ,运算速度90~240MIPs,集成晶体管3.1~3.5M个,1微米制造工艺,273或296针,最大寻址内存4GB,缓存16/256/512KB,生产曰期1993年3月.
Pentium MMX(MMX: Multi-Media Extensions,增加57条多媒体指令),64位主理器,主频150/150/166/200/233MHZ(P55C),总线频率66MHZ,运算速度达到435MIPs,集成晶体管4.1~4.5M个,1微米制造工艺,SOCKET7接口,最大寻址内存4GB,缓存16/256/512KB,生产曰期1993年3月.
Pentium Pro,64位主理器,主频133/150/166/180/200MHZ,总线频率66MHZ,运算速度达到300~440MIPs,集成晶体管5.5M个,1微米制造工艺,387针Socket8接口,最大寻址内存64GB,缓存16/256kB~1MB,生产曰期1995年11月.
Pentium II,64位主理器,主频200/233/266/300/333/350/400/450MHZ,总线频率66/100MHZ,运算速度达到560~770MIPs,集成晶体管7.5M个,1微米制造工艺,全新SLOT1接口,最大寻址内存64GB,一级缓存16kB,二级缓存512KB (233~333MHz, 2.8V Klamath核心, 66MHz FSB; 350~450MHz, 2.0V Deschutes核心, 100MHz FSB) ,生产曰期1997年3月.
Pentium II Xeon(至强),64位主理器,主频400/450MHZ,总线频率100MHZ,全新SLOT2接口,最大寻址内存64GB,一级缓存16kB,二级缓存512KB~2MB,生产曰期1998年.
Celeron一代, 主频266/300MHZ(266/300MHz 没有二级缓存, Covington核心 (Klamath based),300A/333/366/400/433/466/500/533MHz 二级缓存128kB , Mendocino核心 (Deschutes-based), 总线频率66MHz,0.25微米制造工艺,生产曰期1998年4月)
Pentium III,64位处理器,主频450/500MHZ(Katmai核心: 2.0V, 100MHz总线频率, 512kB 二级缓存,slot1接口),533MHZ~1.13GHZ(Coppermine核心: 1.6V, 100/133MHz总线频率, 256kB 二级缓存,Socket 370),0.25~0.18微米制造工艺,生产曰期1999~2000年.
Pentium III Xeon(至强),分为早期的Tanner核心(0.25微米制造工艺,256KB缓存),后来的Cascades核心(总线频率133MHZ,二级缓存2MB,0.18微米制造工艺),生产曰期1999年.
Celeron二代, (Coppermin,铜矿核心),主频533MHZ~1GHZ,1.6V, 总线频率66/100MHZ, 128KB二级缓存,Socket 370,0.18微米制造工艺,生产曰期2000年.
Pentium 4 (Willamette核心,423针),主频1.3GHZ~1.7GHZ,FSB400MHZ,0.18微米制造工艺,Socket423接口, 二级缓存256KB,生产曰期2000年11月.
Pentium III (Tulatin图拉丁核心),主频1.13GHZ~1.4GHZ,总线频率133MHZ, 512KB二级缓存,Socket370接口, 0.13微米制造工艺,分为服务器版(S)和笔记本移动版(M),生产曰期2001年.
Celeron三代(Tulatin,图拉丁核心),主频1GHZ~1.3GHZ,总线频率100MHZ, 256KB二级缓存 ， Socket370接口, 0.13微米制造工艺 ， 绝对不怕压坏的核心 ， 低功耗 ， 发热量小等优势一改赛扬二代的种种缺陷 ， 超频能力强 ， 性能可比Celeron 1.7GHZ~2.4GHZ(128KB二级缓存), 生产曰期2002年.