决战！3nm制程( 二 ) _信息快讯

因为GAA技术重新设计晶体管底层结构，克服了当前技术的物理、性能极限，增强栅极控制，使得性能大大提升。
在该技术方向下，主要有纳米线、板片状结构多路桥接鳍片、六角形截面纳米线和纳米环技术四大主流方向，三星采用的是MBCFET（Multi-Bridge Channel FET），即板片状结构多路桥接鳍片。
在IEEE国际固态电路会议上，三星工程师展示了其MBCFET结构的灵活性。如何以极低的电压实现片上存储单元的写入操作，其电压可以降低数百毫伏，从而有可能大大降低未来芯片的功耗。
与5nm工艺相比，采用MBCFET晶体管结构，其面积减少了35% ，性能提高了30%且功耗降低了50% 。三星电子总裁兼代工业务负责人Siyoung Choi称，随着工艺成熟度的提高，三星电子3nm工艺良率正在接近目前量产的4nm工艺水平。
在三星的最新计划中，将在韩国扩建紫外光（EUV）光刻技术生产线，该技术使用波长13.5nm的极紫外光，能够制造出更精细、更清晰的电路，从而让芯片搭载更多元件，大幅度提升运算能力与效率。
英特尔
在3nm制程的布局上，英特尔同样布局。英特尔为其制程节点引入了全新的命名体系，市面上来说， Intel 3相当于其他厂商的3nm制程。

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关于Intel 3的消息，目前不算太多。根据英特尔的制程路线图来看， Intel 3会在Intel 4之后亮相。不久前，英特尔刚公开了Intel 4的进程，表示将会第一次引入EUV光刻机，明年下半年投产， 2023年产品上市。其官方网站还公开了48秒的视频，表明该加工工艺生产的晶圆检测过程，并且得出了最终的结论。根据全部检测，内部的SRAM、逻辑单元、模拟单元都符合要求，处理芯片很“健康” 。
在“英特尔加速创新”线上发布会上，英特尔计划Intel 3 将在2023年下半年亮相，预计是Intel 4即7nm工艺的升级技术，同样使用Fin FET晶体管，每瓦性能将提升约18% 。但没有具体的发布时间或产品名称，推测将于2024年上市。
对于GAA技术的布局，英特尔则会在20A（Intel 20A 中的 A 代表单位“埃格斯特朗” ngstr m ，简称埃，符号，是一种小于纳米的测量单位。 1A = 0.1nm）工艺上使用，并且将兼备RibbonFET和PowerVia两大突破性技术。

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其实，就摩尔定律关注的晶体管密度指标来看，在同一制程工艺节点上，英特尔的优势巨大。在Digitimes发布的一份研究报告，分析了台积电、三星、Intel在相同命名的半导体制程工艺节点上的晶体管密度问题。报告中，在3nm的节点上，台积电的晶体管密度大约是2.9亿个/mm2 ，三星只有1.7亿个/mm2 ，英特尔将达到5.2亿个/mm2 。英特尔的晶体管密度比台积电高出了超过79％，达到了三星2倍以上。
3nm工艺进程受阻
不久前， The Information报导，台积电3纳米制程陷入瓶颈，可能会导致iPhone处理器连续三年（包括明年）都卡在同一制程，为苹果史上首见。对此，台积电则重申， 3纳米制程按计划进行，不评论客户或市场传闻。
但这不是外界第一次传闻台积电3nm制程延期。在今年9月初，台积电曾正式确认， 3nm工艺的量产会延迟3到4个月。
值得注意的是，虽然在今年上半年三星宣布其3nmGAA工艺已经成功流片，但是在三星代工论坛活动上，三星表示转移到全新的GAA技术难度很高。相对于曾经计划在2021年下半年量产芯片，三星将3nm制程延期到2022年。最近，也有路透社消息称三星电子的3nmGAA工艺目前仍面临着漏电等关键技术问题。

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