二极管的管压降:硅二极管(非发光型)的正向管压降为0.7V， 锗二极管的正向管压降为0.3V， 发光二极管的正向管压降会随着发光颜色的不同而变化 。 有三种重要的颜色， 具体的压降参考值如下:红色LED的压降为2.0 - 2.2V， 黄色LED的压降为1.8-2.0V， 绿色LED的压降为3.0-3.2V， 正常照明时的额定电流约为20mA 。
二极管的电压和电流不是线性的， 所以并联不同的二极管时， 要连接相应的电阻 。
特性曲线
与PN结一样， 二极管具有单向导电性 。 硅二极管标准伏安
特性曲线(图) 。 二极管加直流电压， 电压值小时， 电流极小；当电压超过0.6V时， 电流启动呈指数增长， 通常称为二极管导通电压；当电压达到0.7V左右时， 二极管处于完全导通状态， 通常称为二极管的导通电压， 用符号UD表示 。
对于锗二极管， 导通电压为0.2V， 导通电压UD约为0.3V..二极管上施加反向电压 。 当电压值较小时， 电流值为反向饱和电流is 。 当反向电压超过一定值时， 电流开始急剧增加， 称为反向击穿 。 这个电压在深圳职业网称为二极管反向击穿电压， 用符号UBR表示 。 不同类型二极管的击穿电压UBR值差别很大， 从几十伏到几千伏不等 。
根据机理， 反向击穿可分为齐纳击穿和雪崩击穿 。 在高掺杂浓度的情况下， 由于势垒区宽度很小， 反向电压很大， 势垒区的共价键结构被破坏， 价电子脱离共价键约束， 出现电子-空空穴对， 导致电流急剧增加 。 这种击穿称为齐纳击穿 。 如果掺杂浓度低， 势垒区宽度宽， 不容易发生齐纳击穿 。
雪崩倍增
另一种击穿是雪崩击穿 。 当反向电压增大到较大值时， 外加电场加速了电子的漂移速度， 与共价键中的价电子发生碰撞， 将价电子撞出共价键， 产生新的电子-空空穴对 。 新出现的电子-空空穴被电场加速， 然后与其他价电子碰撞， 导致载流子雪崩生长， 电流急剧增加 。 这种击穿称为雪崩击穿 。 无论哪种击穿， 如果电流不受限制， PN结都可能永久性损坏 。
二极管的正向导通压降是多少

文章插图


当极管正向导通时， 电流流动时会产生压降 。
通常， 该电压降与正向电流和温度有关 。 一般来说， 电流越大， 硅二极管的压降越大 。 温度越高， 压降越小 。
然而， 温度越高， 电压降越大 。
如何准确施加二极管的导通压降
二极管是电子电路中最基本的元件之一 。 作为最常见的元器件之一， 我们对二极管的基本性能参数比较熟悉， 但也有一些主要参数容易被我们忽略 。 它们是什么参数？
1.二极管导通电压二极管的特点是单向导通， 因此被广泛应用于整流电路、开关电路等场所 。 所谓单侧导通是指当反向电压连接到二极管PN结两端时， 二极管关断；当PN结两端连接一定值的直流电压时， 二极管可以导通 。 这个恒定的直流电压是二极管的正向导通压降 。 二极管导通的压降is在大学学习中常被认为是0.7V， 但实际上二极管的正向压降并不是固定的， 而是与流经二极管的电流和环境温度有关， 它们的关系如下:i=IS(equ/kt-1)， 其中IS为二极管的反向饱和电流， Q为电子量， K为玻尔兹曼常数， T为热力学温度 。 直流电压图也可以在二极管数据表中看到
当温度恒定时， 流经二极管的电流越大， 导通电压越大 。 将1N4148连接到电源的输出端， 以防止反向连接 。 当0 ~ 100毫安电流流动时， 1N4148输出电压纹波达到600毫伏， 导致系统运行异常 。 由于二极管的导通压降与流经它的电流成正比， 因此可以通过减小电流的跳变尺度来减小导通压降的变化范围 。 在二极管输出端恒定负载10mA的情况下， 当流经1N4148的电流从10mA到100毫安时， 输出电压纹波降至260mV 。

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