从理论知识可以看到，理论知识与器件产品的一些的具体特性有关系，在特性不变的条件下，可以通过外部的电路或者采取一些比较好的L进行改善，这也是罗姆能够做到的，所以罗姆愿意跟客户探讨这一研究方向 。  
　　按照这样一个方向，推荐客户用一个米勒MOS管做一个前卫 。负压推荐肖特基二极管，在GS上面采用肖特基二极管前位住一个负压，达到比较好的效果 。  
　　刚才强调开关侧跟回流侧的一些具体方案，例如在什么时候用哪些去做，例如在负压在尖峰电压的情况下，可以通过一些二、三级管解决，或者是通过米勒MOS管解决 。  
　　关断的应用解决方案，与客户强调比较多的还是米勒MOS管和肖特基二极管，能够解决正压和负压的问题，最好是外置的米勒MOS管 。  
　　这个也是刚才所说的实际案例的扩充，这个也是运用罗姆去做一些产品和推广，给客户的一些实际案例的回馈，给客户做一些仿真 。同样罗姆也会做一些仿真，跟客户做一些对比、评判等等情况，所以这个也是可以做到的 。  
　　首先罗姆进行实测，加一些前置的肖特基二极管，或者肖特基二极管加好之后做一些前位的MOS管做的实测案例也用简单的双脉冲去看了一下情况，效果还是比较明显的 。像A没有抑制的情况下，可以看到它的GS上升也会比较大一点，这边电流的峰值也会比较大，在这个峰值跟它的对比情况下断定已经产生了误操作，解决上下管导通的情况 。基本上上下管到导通的话，要看波形来定义，不是单单超过VGS、VTH值就一定会上下管导通，这也是不可取的现象 。例如标3V的VTH值，其实不是超过30V一定会发生上下管导通，只是增加了一个风险 。  
　　是不是上下管导通，具体来还要看一下电流的波形，可以看到电流峰值的波形，可以看这时候已经进行了上下管导通的情况，加一些MOS管或者肖特基二极管的话，可以做到比较好的前位，尤其是负压这边也会做一个比较好的前位，所以这个肖特基二极管的效果也是比较明显的 。  
　　罗姆从目前半导体发展趋势出发，分析了其目标战略，实际应用与关键技术攻克的情况 。倪敏表示，罗姆将主动的给客户更好的服务，更好的态度面对第三代产品，并主推第四代碳化硅的产品 。  
  

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