其他车企通用、丰田、大众、长安等都提出了相关的碳化硅应用 。
碳化硅、氮化镓企业大盘点
第三代半导体行业发展是水涨船高 ， 从IDM、Fabless/材料、代工厂、设备、封测等各个产业链均有所布局 。
国内不少做半导体器件企业都采用了IDM模式 ， 比如华润微、杨杰科技、闻泰科技、士兰微、三安、捷捷微电、华微电子等 ， 因为IDM更有核心竞争力 ， 更适合垂直整合
国内发展第三代半导体企业
（公开资料整理）
【IDM厂商】
华润微：第三代半导体器件生产商 ， 已发布并量产6英寸650V、1200V SiC BS系列产品 ， 并且完成新一代SiC BS产品设计、工艺开发和样品产出 。
扬杰科技：近五年来公司研究和储备第三代半导体应用技术 ， 目前已有第三代半导体相关技术及产品成果 ， 和小批量SIC器件供应市场 。
闻泰科技：650V氮化镓（GaN）技术已经通过车规级测试 ， 碳化硅产品第一批晶圆和样品已交付 ， 有望在2021年底到2022年开始量产
士兰微：已经建成了6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线 。 2021 年上半年 ， 公司硅基 GaN 化合物功率半导体器件的研发在持续推进中 ， 公司SiC功率器件的中试线已在二季度实现通线 。
赛微电子：现有GaN业务包括外延材料和芯片设计 ， 公司GaN外延材料业务是指基于自主掌握的工艺诀窍 ， 根据既定技术参数或客户指定参数 ， 通过MOCVD设备生长并对外销售6-8英寸GaN外延材料 。 公司在GaN外延材料方面已完成6-8英寸GaN外延材料制造项目（一期）的建设 ， 具备了高水平的研发与生长条件 。
赛微电子在山东青岛拥有一条8英寸GaN外延晶圆产线 。 在GaN芯片设计方面已陆续研发、推出不同规格的功率芯片产品及应用方案 ， 同时正在推动微波芯片产品的研发 。
露笑科技：掌握制造SiC长晶炉的核心技术 ， 合肥露笑半导体项目总投资100亿元 ， 从2020年11月份破土开工建设 ， 一期产能规划为24万片导电型6英寸碳化硅衬底和5万片外延片 ， 全部达产后将年产10万片8英寸外延片和15万片8英寸衬底片 。
三安光电：6月23日宣布总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式点亮投产 ， 将打造国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链 。 据悉 ， 该产线可月产3万片6英寸碳化硅晶圆 。
吉林华微电子：已建立肖特基、快恢复、单双向 可控硅、全品类 MOS 及 IGBT 等国内齐全、且具有竞争优势的功率半导体器件产品体系 ， 目前正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术。
捷捷微电：已与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以 SiC、GaN 为代表第三代半导体材料的半导体器件 ， 目前有少量碳化硅器件的封测 ， 该系列产品仍在持续研究推进过程中 。
【Fabless厂商】
斯达半导：11月18日 ， 斯达半导拟使用募集资金向全资子公司斯达微电子增资1,977,999,800 元 ， 其中5亿元用于“SiC 芯片研发及产业化项目”建设 。 2021年上半年 ， 公司在机车牵引辅助供电系统、新能源汽车行业控制器、光伏行业推出的各类 SiC 模块得到进一步的推广应用 。 在新能源汽车领域 ， 公司新增多个使用全 SiC MOSFET 模块的800V 系统的主电机控制器项目定点 。
新洁能：自成立以来 ， 公司始终专注于半导体功率器件行业 ， 具备独立的MOSFET和IGBT 芯片设计能力和自主的工艺技术平台 。 目前1200V新能源汽车用SiC MOSFET和650V PD电源用GaN HEMT在境内外芯片代工厂的处于流片验证阶段 ， 进展顺利 。
富满电子：在第三代半导体GaN（氮化镓）快充领域 ， 目前有可搭配GaN的中高功率（≥65W）主控芯片、PD协议芯片等产品 。 相关芯片NF7307 ， 具备更高集成度（集成启动电阻&X电容放电） ， 更出色的性能（优良的Qr特性 ， 更低待机功耗）及更高可靠性（全面的保护机制） ， 已经上市 。