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致力于为客户提供最优解 ， 进一步提高PD快充的功率密度 ， 提高GaN系统可靠性 ， 茂睿芯重磅推出33W集成氮化镓PD方案MK2787/MK2788 ， 集成GaN HEMT的ACDC功率开关 ， MK2787采用ESOP-8封装设计 ， MK2788采用DFN5x6封装设计 ， 方便客户选用 。

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此外MK2787/MK2788采用茂睿芯独有的处于行业领先位置的高压技术 ， Vcc耐压高达110V ， PPS应用无需稳压电路；采用了专利软驱技术 ， 有效降低同步整流管电压应力；采用高频QR控制技术 ， 有效减小变压器尺寸 。
A06展位：南芯半导体
1、南芯SC3057

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南芯基于SC3057合封氮化镓芯片推出的一款高集成度小体积的65W氮化镓快充参考设计 ， 采用两块PCB焊接组合 ， 在提高空间利用率的同时 ， 将氮化镓合封芯片与整流桥分开散热 ， 避免局部积热 。 两块小板的设计 ， 降低了生产难度 ， 也有助于降低成本 ， 加快出货 。

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得益于南芯SC3057优化了走线设计 ， 参考设计的功率路线和控制走线分开 ， 简化PCB走线设计 。 通过图片可以看到功率环路非常小 ， 降低了EMI辐射 ， 并优化电气性能 ， 优化氮化镓快充电路设计 。
2、南芯SC3056

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基于南芯SC3050/SC3056氮化镓反激芯片开发的33W充电器 ， 次级采用南芯SC3503同步整流 ， 南芯SC2151A协议芯片 ， 全部自主 。 设计尺寸为：29.0mm x 23.5mm x 22.6mm (不含折叠端子） ， 其PCBA功率密度高达 2.14W/cm3 ， 90Vac/60Hz 满载下输出端口效率大于92.2% ， 可大幅度降低热设计难度 ， 多项技术指标业内领先 。

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其中南芯SC3050与SC3056两款芯片封装与功能相同 ， 仅内置GaN开关管导阻不同 ， SC3050内置450mΩ氮化镓开关管 ， SC3056内置360mΩ氮化镓开关管 。 该系列芯片为USB PD快充与开关电源应用提供高能效小体积的解决方案 。
A19展位：PI
1、PI InnoSwitch4系列

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PI新一代采用了PowiGaN技术的InnoSwitch4系列芯片 ， 应用于有源钳位反激架构 ， 可实现主开关管的零电压开关 ， 降低器件温升 。 同时优化EMI性能 ， 非常适合小体积 ， 高工作频率的开关电源设计 。
InnoSwitch4-CZ是零电压开关的集成反激芯片 ， 内部集成750V高压PowiGaN开关、有源钳位驱动、同步整流和FluxLink反馈 ， 与ClampZero有源钳位芯片搭配使用 ， 将漏感能量回收 ， 可实现高达95%的转换效率 。
2、PI InnoSwitch3-PD系列

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PI推出的InnoSwitch3-PD是一颗专用于USB PD快充的单芯片电源解决方案 ， 将常见的USB PD协议芯片集成到电源芯片内部 ， 简化了USB PD快充设计 。 其内部集成650V耐压的MOSFET或者750V耐压的PowiGaN高压开关 ， 提供高达100W的输出功率 。
InnoSwitch3-PD电源芯片通过内部集成USB-C和PD控制器 ， 有效降低了电源的待机功耗 ， 空载功耗低至14mW 。 并且内部集成的控制器 ， 通过巧妙的电路设计 ， IC次级侧的引脚分别支持NMOS负载开关和VBUS的放电功能 ， 以适应USB-PD的特殊使用要求 。
A29展位：钰泰半导体
1、钰泰ETA80G25

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