10月20日 ， SK海力士宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM 。
HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技术 ， 由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成 ， 是一种高价值产品 ， 创新性地提高了数据处理速度 。

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△Source：SK海力士
【SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM】SK海力士去年7月在业界首次开始批量生产HBM2E DRAM后 ， 时隔仅1年零3个月开发了HBM3 ， 巩固了该市场的主导权 。
SK海力士强调 ， “通过此次HBM3 ， 不仅实现了目前为止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量 ， 还大幅提高了质量水平 。 ”
SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据 。 这速度相当于能够在一秒内传输 163部全高清(Full-HD)电影(每部5GB) 。 与上一代HBM2E相比 ， 速度提高了约78% 。

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△Source：SK海力士
与此同时 ， 该产品还内置了ECC校检(On Die-Error Correction Code) 。 HBM3通过该内置型ECC校检可以自身修复DRAM单元(cell)的数据的错误 ， 因此产品的可靠性也大幅提高 。
此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市 。 特别是24GB是业界最大的容量 。 为了实现24GB ， SK海力士技术团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10-6m) ， 相当于A4纸厚度的1/3 ， 然后使用TSV技术（Through Silicon Via ， 硅通孔技术）垂直连接12个芯片 。
HBM3将搭载高性能数据中心 ， 有望适用于提高人工智能(AI)完成度的机器学习(Machine Learning)和分析气候变化 ， 新药开发等的超级计算机 。
负责SK海力士DRAM开发的车宣龙副社长表示 ， “该公司推出了全球首款HBM DRAM ， 引领了HBM2E市场 ， 并在业界内首次成功开发了HBM3. 公司将巩固在高端存储器市场的领导力 ， 同时提供符合ESG经营的产品 ， 尽最大努力提高客户价值 。 ”