全球市场研究机构TrendForce集邦咨询近期发布2022年十大科技产业脉动 ， 针对存储器领域 ， 其预计2022年DDR5产品将逐渐进入量产 ， NAND Flash堆栈技术将超越200层 。
内存技术换代升级 ， DDR5闪亮登场
2020年7月15日 ， 为解决从客户端系统到高性能服务器的广泛应用所面临的性能和功耗挑战 ， JEDEC固态技术协会正式发布了下一代主流内存标准DDR5 SDRAM的最终规范(JESD79-5) 。
与DDR4相比 ， DDR5具备更高速度、更大容量与更低能耗 。 全新DDR5内存的最高传输速率达6.4Gbps ， 比DDR4内存提升了一倍 。
DDR4在单裸片封装 (SDP) 模式下仅支持最高16Gb的DRAM容量 ， 而DDR5内存标准将这一数字提高到了64Gb 。 这也意味着 ， DDR5 DIMM在SDP模式下的最高容量可达256GB ， 是DDR4 64Gb最大容量的4倍 。
此外 ， DDR5还将供电电压从DDR4的1.2V降至1.1V ， 这进一步提升了内存的能效表现 。
基于上述优势 ， DDR5被看作是一种“具备革命意义”的内存架构 。 应用方面 ， 业界普遍认为DDR5将跟随DDR4步伐 ， 广泛应用于PC、数据中心等领域 。
DDR4从2012年发布第一版到如今DDR5即将量产应用 ， 跨越了近十年时间 。 与其他硬件技术相比 ， 内存更新换代频率较为缓慢 ， 也正是因为如此 ， 它的每一次换代升级都令人期待 。
如今 ， DDR5即将闪亮登场 ， 原厂与模组厂商目前准备得如何？我们来先睹为快 。
提前布局 ， 三大原厂蓄势待发
2020年7月 ， JEDEC固态技术协会正式发布了DDR5 SDRAM标准规范 ， 而在此之前 ， 三星电子、SK海力士与美光科技三大原厂已为此蓄力 。
三星电子
三星在2020年2月宣布成功研发出DDR5芯片 ， 采用新型的硅通孔(TSV) 8 层技术 ， 每个双列直插式存储模块(DIMM)提供高达512GB的存储空间 ， 还具有纠错码(ECC)电路 ， 提高产品可靠性 。
今年3月25日三星宣布拓展DDR5 DRAM存储产品组合 ， 成功开发单条容量512GB的DDR5模组 。 该模组使用了High-K Metal Gate (HKMG) 工艺 ， 可以提供超过DDR4内存一倍的性能表现 ， 达到7200Mb/s 。
今年8月 ， 三星在全球半导体产业会议Hotchips 33上透露8层硅通孔DDR5内存将于2022年底开始量产 。 三星已经生产出4层堆叠、并采用TSV技术整合DDR4内存模组的内存 ， 整个芯片的厚度仅1.2毫米 。 三星指出 ， 采用8层TSV技术堆叠DDR5厚度将比1毫米更薄 ， 并具备更好的散热功能 。
10月12日 ， 三星宣布量产14纳米EUV DDR5 DRAM 。 三星的14纳米DRAM将有助于释放出之前DDR5产品所未有的速度：高达7.2Gbps ， 比DDR4的3.2Gbps快两倍多 。
与此同时 ， 三星还计划扩展其14纳米DDR5产品组合 ， 以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用 。
SK海力士
SK海力士于2018年11月成功开发16Gb DDR5 DRAM ， 随后向英特尔等核心客户提供样品 ， 并完成了一系列测试与性能、兼容性验证等程序 。 这意味着SK海力士在即将到来的DDR5市场随时能够销售相关产品 。
2020年10月 ， SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM ， 其数据传输速率高达4800-5600Mbps 。 5600Mbps的传输速率意味着能够在1秒内传输9部全高清(FHD)电影 。 不仅如此 ， 该产品的工作电压由前一代的1.2V降到了1.1V ， 成功减少了20%的功耗 。
今年7月 ， SK海力士透露 ， 计划从明年初开始将1a纳米级工艺导入DDR5 DRAM 。
值得一提的是 ， 7月SK海力士宣布开始量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM ， 并透露未来的1a纳米级DRAM都将采用EUV工艺进行生产 ， 因此明年EUV工艺有望导入SK海力士的DDR5 DRAM的生产中 。
美光科技
2020年1月 ， 美光科技宣布 ， 基于1z纳米制程技术的DDR5 RDIMM已开始送样 ， DDR5采用先进的DRAM技术 ， 性能相较上一代DDR4提高85%以上 ， 内存密度也提高了一倍 ， 从而满足下一代服务器工作负载及数据中心系统对内存高带宽和高容量的要求 。