IT之家 11 月 18 日消息 ， 近期纳微半导体宣布 ， 采用全新 GaNSense 技术的 GaNFast 氮化镓功率芯片已正式发布 。 这也是全球首款智能 GaNFast 氮化镓功率芯片 ， 它将能更有效地解决适配器的发热问题 ， 同时还能继续保持安全、稳定、高功率的充电体验 ， 让原来采用 GanFast 氮化镓功率芯片的充电器使用体验得到进一步提升 。

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此外 ， 如果氮化镓功率芯片识别到有潜在的系统危险 ， 该芯片将迅速过渡到逐个周期的关断状态 ， 以保护器件和周围系统 。 GaNSense 技术还集成了智能待机降低功耗功能 ， 在氮化镓功率芯片处于空闲模式时 ， 自动降低待机功耗 ， 有助于进一步降低功耗 。
凭借严格的电流测量精度和 GaNFast 响应时间 ， GaNSense 技术缩短 50% 的危险时间 ， 危险的过电流峰值降低 50% 。 GaNFast 氮化镓功率芯片单片集成提供了可靠的、无故障的操作 ， 没有“振铃” ， 从而提高了系统可靠性 。
IT之家获悉 ， 采用 GaNSense 技术的新一代纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片有十个型号 ， 都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术 ， 所有产品的额定电压为 650V/800V ， 具有 2kV ESD 保护 。 新的 GaNFast 功率芯片的 RDS (ON) 范围为 120 至 450 毫欧 ， 采用 5 x 6 mm 或 6 x 8 mm PQFN 封装 ， 具有 GaNSense 保护电路和无损电流感应 。
作为纳微第三代氮化镓功率芯片 ， 针对现代电源转换拓扑结构进行了优化 ， 包括高频准谐振反激式（HFQR）、有源钳位反激式（ACF）和 PFC 升压 ， 这些都是移动和消费市场内流行的提供最快、最高效和最小的充电器和适配器的技术方法 。
截止至 2021 年 10 月 ， 纳微半导体已出货超过 3000 万颗纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片 ， 在现场测试实现了超过 1160 亿个设备小时 ， 并且没有任何关于 GaN 现场故障的报告 。
【纳微半导体发布全新GaNFast氮化镓功率芯片】与传统的硅功率芯片相比 ， 每颗出货的 GaNFast 氮化镓功率芯片可以减少碳足迹 4-10 倍 ， 可节省 4 千克的二氧化碳排放 。 而在目标市场 —— 智能手机和笔记本电脑快充充电器市场等 —— 估计每年会有 20 亿美元的氮化镓市场机会 ， 以及每年 20 亿美元的消费市场机会 。