IT之家 1 月 31 日消息 ， 盛美半导体设备（上海）股份有限公司 (简称盛美上海) ， 一家为半导体前道和先进晶圆级封装（WLP）应用提供晶圆工艺解决方案的供应商 ， 推出了支持化合物半导体制造的综合设备系列 。
盛美半导体设备公司的 150-200 毫米兼容系统将前道集成电路湿法系列产品、后道先进晶圆级封装湿法系列产品进行拓展 ， 可支持化合物半导体领域的应用 ， 包括砷化镓 (GaAs)、氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等工艺 。 化合物半导体湿法工艺产品线包括涂胶设备、显影设备、光阻去胶设备、湿法蚀刻设备、清洗设备和金属电镀设备 ， 并自动兼容平边或缺口晶圆 。

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盛美上海的化合物半导体设备系列
Ultra C 碳化硅清洗设备
盛美上海的 Ultra C 碳化硅清洗设备采用硫酸双氧水混合物 (SPM) 进行表面氧化 ， 并采用氢氟酸 (HF) 去除残留物 ， 进行碳化硅晶圆的清洗 。 该设备还集成盛美上海的 SAPS 和 Megasonix? 技术实现更全面更深层次的清洗 。 Ultra C 碳化硅清洗设备可提供行业领先的清洁度 ， 达到每片晶圆颗粒≤10ea0.3um ， 金属含量＜ 1E10atoms / cm3 水平 。 该设备每小时可清洗超过 70 片晶圆 ， 将于 2022 年下半年上市 。
Ultra C 湿法刻蚀设备
可为砷化镓和磷化铟镓 (InGaP) 工艺提供＜2% 的均匀度 ， ＜ 10% 的共面度及＜ 3% 的重复度 。 Ultra C 湿法刻蚀设备可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性 。 该设备将于 2022 年第三季度交付给某重要客户 ， 并由其进行测试 。
Ultra ECP GIII 1309 设备
盛美上海的 Ultra ECP GIII 1309 设备集成了预湿和后清洗腔 ， 支持用于铜、镍和锡银的铜柱和焊料 ， 以及重分布层 (RDL) 和凸点下金属化 (UBM) 工艺 。 设备实现了晶圆内和模内小于 3% 的均匀度和小于 2% 的重复度 。 该设备已于 2021 年中交付给客户 ， 并满足客户技术要求 。
Ultra ECP GIII 1108 设备
Ultra ECP GIII 1108 设备提供金凸块、薄膜和深通孔工艺 ， 集成预湿和后清洗腔 。 设备采用盛美上海久经考验的栅板技术进行深孔电镀 ， 以提高阶梯覆盖率 。 它可达到晶圆内和模内＜ 3% 的均匀度和＜ 2% 的重复度 。 腔体和工艺槽体经过专门设计 ， 可避免金电镀液的氧化 ， 且工艺槽体具有氮气吹扫功能 ， 可减少氧化 。 该设备已于去年年底交货给关键客户 。
Ultra C ct 涂胶设备
盛美上海的 Ultra C ct 涂胶设备采用二次旋转涂胶技术 ， 可实现均匀涂胶 。 设备拥有行业领先的优势 ， 包括精确涂胶控制、自动清洗功能、冷热板模块以及每个腔体的独立过程控制功能 。
Ultra C dv 显影设备
在化合物半导体工艺中 ， 盛美上海的 Ultra C dv 显影设备可进行曝光后烘烤、显影和硬烤的关键步骤 。 设备利用盛美上海的先进技术 ， 可按要求实现 +/-0.03 LPM 的流量和 +/-0.5 摄氏度的温度控制 。
Ultra C s 刷洗设备
Ultra C s 刷洗设备以盛美上海先进的湿法清洗技术为基础 ， 实现优秀的污染物去除效果 。 该设备通过氮气雾化二流体清洗或高压清洗实现高性能 ， 以更有效地清洗小颗粒 。 此外 ， 设备还可兼容盛美上海专有的兆声波清洗技术 ， 以确保优良的颗粒去除效率（PRE） ， 且不会损坏精细的图形结构 。
Ultra C pr 湿法去胶设备
盛美上海的 Ultra C pr 湿法去胶设备利用槽式浸泡和单片工艺 ， 确保高效地进行化合物半导体去胶 。 该设备最近由一家全球领先的整合元件制造商（IDM）订购 ， 用于去除光刻胶 ， 这进一步验证了盛美上海的技术优势 。