6.2009年 ， 我国首款四核CPU龙芯3A研发成功 。
6.20011年 ， 龙芯3B和龙芯2H研发成功 。
7.2012年 ， 龙芯3B 1500研发成功 ， 实测核心频率1.3GHz – 1.5GHz 。
8.2014年 ， 龙芯1C和1D研发成功 。 能 ， 但生产出来的cpu主频太低了 ， 顶多就相当于奔腾4.主要原因就是没有光刻机 ， 荷兰制造的光刻机可以达到10nm ， 而我国的光刻机最高也只能达到28nm 。 再说intel从1970年就开始制造CPU了 ， 都半个世纪的研发时长了 ， 怎么跟别人比 ， 再说 ， 荷兰也不向中国售卖光刻机 。 我们就算有再多的钱也买不到 。 我们的CPU也不适用于windows和苹果的系统 ， 所以就更没有人用了 。

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cpu制造的十个过程步骤（1） 硅提纯
生产CPU等芯片的材料是半导体 ， 现阶段主要的材料是硅Si ， 这是一种非金属元素 ， 从化学的角度来看 ， 由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处 ， 所以具有半导体的性质 ， 适合于制造各种微小的晶体管 ， 是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一 。
在硅提纯的过程中 ， 原材料硅将被熔化 ， 并放进一个巨大的石英熔炉 。 这时向熔炉里放入一颗晶种 ， 以便硅晶体围着这颗晶种生长 ， 直到形成一个几近完美的单晶硅 。 以往的硅锭的直径大都是200毫米 ， 而CPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产 。
（2）切割晶圆
硅锭造出来了 ， 并被整型成一个完美的圆柱体 ， 接下来将被切割成片状 ， 称为晶圆 。 晶圆才被真正用于CPU的制造 。 所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片 ， 并将其划分成多个细小的区域 ， 每个区域都将成为一个CPU的内核(Die) 。 一般来说 ， 晶圆切得越薄 ， 相同量的硅材料能够制造的CPU成品就越多 。
（3）影印（Photolithography）
在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质 ， 紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片 ， 被紫外线照射的地方光阻物质溶解 。 而为了避免让不需要被曝光的区域也受到光的干扰 ， 必须制作遮罩来遮蔽这些区域 。 这是个相当复杂的过程 ， 每一个遮罩的复杂程度得用10GB数据来描述 。
（4）蚀刻(Etching)
这是CPU生产过程中重要操作 ， 也是CPU工业中的重头技术 。 蚀刻技术把对光的应用推向了极限 。 蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头 。 短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上 ， 使之曝光 。 接下来停止光照并移除遮罩 ， 使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜 ， 以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅 。
然后 ， 曝光的硅将被原子轰击 ， 使得暴露的硅基片局部掺杂 ， 从而改变这些区域的导电状态 ， 以制造出N井或P井 ， 结合上面制造的基片 ， CPU的门电路就完成了 。
（5）重复、分层
为加工新的一层电路 ， 再次生长硅氧化物 ， 然后沉积一层多晶硅 ， 涂敷光阻物质 ， 重复影印、蚀刻过程 ， 得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构 。 重复多遍 ， 形成一个3D的结构 ， 这才是最终的CPU的核心 。 每几层中间都要填上金属作为导体 。 Intel的Pentium 4处理器有7层 ， 而AMD的Athlon 64则达到了9层 。 层数决定于设计时CPU的布局 ， 以及通过的电流大小 。

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