除了更少的光子暴露在光刻胶上之外 ， EUV 光刻胶也吸收更少的光子 。 这主要因为光刻胶溶液是光酸产生剂、粘合促进剂和稳定剂的极其精确的混合物 。 那就意味着如果在过程中出现差错 ， 会是一个代价高昂的错误 。 2019 年 ， 台积电的 Fab 14B 光刻胶出现问题 ， 最终给他们带来高达5.5 亿美元的损失 。 使用 EUV 光刻胶 ， 这种平衡行为更加难以控制 ， 因为特定的混合物会导致吸收更少 。 对 EUV 的需求以及 1-2 次更少光子和更少吸收的需求相结合 ， 为经典光刻胶行业提供了一个成熟的机会 。 这就吸引厂商进入干燥抗蚀剂（dry resist）市场 。

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Lam Research 正试图成为当中的搅局者 。 他们将使用化学气相沉积工艺在金属光刻胶上分层 ， 而不是使用旋涂机的湿式光刻胶（wet photoresist ）技术 。 Lam Research声称干式光刻胶技术（dryresist ）与湿式光刻胶相比具有多项优势 。 由于是一种密集沉积的金属（metal） ， 它不会与许多其他化学物质混合 。 这允许金属光刻胶仅作为吸收剂 。 回到吞吐量 ， 这意味着每个晶圆通过和功率降低了 2 倍 。 每台 EUV 工具吞吐量几乎翻倍 ， 这将大大降低成本 。

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灵敏度并不是唯一的优势 。 Lam 的干式光刻胶也是采用干法开发的 。 在湿显影中 ， 光刻胶用水或酸洗涤 。 当光刻胶由于毛细作用力溶解掉时 ， 图案化的线条和其他特征可能会坍塌 。 随着最小金属间距 (MMP) 超过 28 纳米 ， 这越来越成为一个问题 。 台积电的 N5 和 N4 工艺节点的 MMP 分别为 30nm 和 28nm ， 因此当前的出货节点正好处于边缘 。

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然而 ， 东京电子仍有创新在进行中 。 虽然他们同意现有的开发冲洗工艺确实会导致超过 28nm 间距（14nm 临界尺寸）的生产线塌陷 ， 但他们发现了一种新的溶剂冲洗工艺 ， 可以将其扩展到 ~24nm（12nm 临界尺寸） 。 这将允许将湿抗蚀剂方法缩放到 24 纳米 。

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但并不是湿抗蚀剂的所有问题都解决了 ， 因为我们还是很难洗掉所有的光刻胶 。 如果所有的光刻胶没有被洗掉 ， 以后的步骤就会有问题 。 残留的光刻胶在蚀刻时会导致孔洞 ， 最终相互“亲吻” 。 残留物也可能导致这些孔完全丢失 。
东京电子目前对此的解决方案是简单地蚀刻残留的光刻胶 。 虽然这是一个简单的解决方案 ， 但可能会出现复杂情况 ， 因为它会导致孔变大或倾斜 。 斜面效果不一定是负面的 ， 但也不是在所有用例中都是最佳的 。

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Lam Research 声称他们的工艺可以实现 5nm 节点上使用的现有 32nm 间距 ， 与现有的湿式光刻胶工艺相比 ， 其方案具有更低的可变性和更好的宽容度 。 我们无法与 Lam Research 分享的硬性数字进行争论 。 当晶圆厂追求特征尺寸、性能和功耗时 ， 干法工艺总体上更好 。 由于显示了当前部署的工具和流程与即将推出的工具和流程 ， 因此 Lam Research 进行的比较可能被认为是不诚实的 。

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与此同时 ， 东京电子正在尽最大努力延长现有产品的寿命 。 他们的Clean Track Lithius Pro Z 与每台 ASML EUV 机器一起使用 。 事实证明 ， 它对于最初的 EUV 节点是可靠且高效的 ， 但随着行业超越单一图案化 EUV ， 化学放大抗蚀剂 (CAR) 显然已达到极限 。 在其他条件相同的情况下 ， 干式抗蚀剂将在前沿和最小特征尺寸方面获胜 。

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