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通过 MOR , Tokyo Electron 正在努力优化从涂层、烘烤、开发 , 并一直到蚀刻的整个工艺流程 。 他们声称他们已经实现了每平方厘米 0.1 个缺陷的缺陷密度 。 这听起来很棒 , 但这种缺陷密度意味着每 300 毫米晶圆有 70.6 个缺陷 。 光刻工艺在前沿晶圆上进行了 70 多次 , 而 N3 工艺将对每个晶圆进行 20 多次EUV 浸渍 。 那就意味着这些缺陷确实开始堆积并破坏产量 。 MOR 仍有一些障碍需要克服 。

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优化流程的想法并不是一个全新的想法 。 工艺模块优化是应用材料公司在其整个互连工艺流程和工具产品中已经做了很长时间的事情 。 由于东京电子在光刻胶涂布机/显影剂中的主导地位 , 它使东京电子在蚀刻和清洁领域获得了份额 。 Lam Research 同样希望通过提供从硬掩模到光刻胶沉积和开发一直到蚀刻的技术来渗透光刻市场 。 多步骤工艺优化允许最终用户芯片和工艺中的线边缘粗糙度更小、更均匀、缺陷更少以及更高的可靠性 。
干法工艺显著降低了化学品的使用 。 这尤其适用于旋转抗蚀剂和显影 。 光刻胶不需要悬浮在溶液中进行沉积 , 也不会像湿法工艺那样产生废料 。 显影过程不需要用大量酸或超纯水冲洗硅片以溶解硅片上的光刻胶 。 这反过来又将所需的电量减半 。
EUV光刻胶争夺 , 未来的输赢还有待观察 , 因为两种路线都都有好处 , 但毫无疑问 , 一场新的战斗已经打响 。
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